中低真空系统

 

中低真空系统

减压条件下的流动气体环境已用于低压化学蒸发淀积、减压外延和几种等离子体工艺过程。所有这些工艺的共同环节是抽除有害气体。机械泵和罗茨泵很适用于维持10至104Pa范围的动态压强。在低压化学蒸发淀积和等离子体工艺过程中，通过反应室的气流主要用来连续补充在生长或蚀刻过程中所消耗掉的反应剂。例如，在每批100片直径76mm的基片的两面上以20 nm/min的生长速率来生长膜层的多晶硅淀积时，通常要求300Pa·L/s的流量。气体的消耗率和基片的数最、真空室的面积、膜层的生长速率和气体反应剂的稀释度与消耗量有关。

在某些商用减压外延工艺中，大的气流量稀释反应剂以进行生长而不是蚀刻。在低压强下外延硅时，300Pa·L/s的反应剂气体流通常需要用105Pa·L/s左右的氢气来进行稀释，并流过103至104帕压强的反应室。减压外延是一个相当新的技术，对于工艺过程的主要部分将保持这样大小的载气流量这一点是不清楚的。

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